Перегляд за автором "Шеховцов, Л.В."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)
    Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией ...
  • Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
    В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно ...
  • Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)
    Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоЭДС, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN–GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, ...